在美修改规则之后，全球芯片产业链的发展就陷入到了“僵局”，台积电、三星等芯片公司由于无法自由出货，正面临业务上的重大挑战。

国内则开始加快对先进光刻机、先进芯片制造等技术的研发。以摆脱外部供应链造成的影响，独立、自主的生产出，企业发展所必需的芯片产品。 

想要生产高端芯片，就离不开EUV光刻机等芯片制造设备。受制于《瓦森纳协定》以及美的影响，高端设备是买不来、求不来、换不来的，想要实现突破就必须依赖于自主研发。

近期，哈工大正式对外界官宣，在芯片制造环节中的关键设备取得突破，这又会给国内带来什么样的转机。

哈工大正式官宣 

据了解，哈工大对外界公布了有关“高速超精密激光干涉仪”设备的研发成果，该成果可以被用于7nm及以下的芯片制造，JSCJ长晶CJ(JCET长电)科技 确保光刻机工作台、物镜系统之间的相对位置，填补了国内在该领域长期的技术空白。而高速超精密激光干涉仪设备的技术突破，也会推动国产光刻机等芯片制造设备的发展。

首先，高速超精密激光干涉仪，就是为了实现光刻机在光刻过程中，对晶圆、物镜系统、工作台位置的超精准定位。如果没有配套的激光干涉仪，国产光刻机等设备的调试、生产工作就无法进行。可以说，该设备的核心技术突破，也是实现高端光刻机设备国产化的先前条件。

其次，该技术还可以被应用于7nm以下制程，为国内发展先进芯片的制造技术，增加了一定的技术储备，有助于国产7nm制程芯片技术的发展。

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