1月17日，据TechNews报道，SK海力士正在升级中国无锡的工厂，并计划通过运输绕过美国对中国EUV光刻机的出口禁令。

该报告援引韩国市场参与者的话说，SK海力士计划将中国无锡工厂的一些C2晶圆工厂的生产能力提高到10nm级的第四代（1a）DRAM工艺技术，以扩大生产，以满足市场需求。

目前，中国无锡工厂是SK海力士最重要的生产基地，产能约占DRAM总产量的40%。目前，该工厂正在生产10nm级的第二代（1y）和第三代（1z）DRAM产品，属于旧工艺技术。

然而，SK海力士无法直接在无锡生产第四代DRAM，因为EUV光刻机无法引入中国无锡工厂。尽管美国政府在2023年给予SK海力士相关禁令豁免，允许其从中国无锡工厂进口DRAM生产设备，制造18nm及以下工艺，但EUV设备仍不允许进口到中国。为了解决这个问题，SK海力士选择使用“运输”来处理工艺转换问题。第四代DRAM晶圆的部分前期生产将在无锡工厂进行，然后将晶圆送回SK海力士总部所在的韩国利川公园完成EUV工艺，然后运回无锡完成剩余工艺。

由于EUV工艺在第四代DRAM产品中只需要一层曝光，因此增加的成本是可以接受的。事实上，该公司在2013年无锡工厂发生火灾时，就用这种方法克服了DRAM生产中断的问题。当时，一些生产线在火灾中完全损坏，导致生产中断。一些生产的晶圆被装载到飞机上，带回韩国利川工厂进行缺失的必要过程，然后运回中国完成制造。SK海力士将DRAM的供应风险降到最低，并在2个半月内迅速恢复产能。

现在，SK海力士再次使用类似的解决方案来处理过程转换问题。这种“开放想象力”的解决方案是否意味着其他制造商在中国不能特别处理的过程也可以以类似的方式解决，值得一看。

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