1月17日，据TechNews报道，SK海力士正在对位于中国无锡的工厂进行制程升级，并计划通过运输方式绕过美国对华EUV光刻机出口禁令。 报道援引韩国市场人士的说法指出，SK海力士计划将中国无锡工厂的部分C2晶圆厂产能提升至10nm级的第四代（1a）DRAM制程技术，为应对市场需求进行扩产做准备。 目前，中国无锡工厂是SK海力士最主要的生产基地，产能约占其DRAM总产量的40%。该工厂目前正在生产10nm级的第二代（1y）和第三代（1z）DRAM产品，属于较旧制程技术。 然而，由于无法将EUV