欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:JSCJ长晶科技CJ(JCET长电科技)-亿配芯城 > 芯片资讯 > 喜讯 哈工大突破芯片关键设备直“激”7nm以下制程
喜讯 哈工大突破芯片关键设备直“激”7nm以下制程
发布日期:2024-05-17 08:20     点击次数:185

在美修改规则之后,全球芯片产业链的发展就陷入到了“僵局”,台积电、三星等芯片公司由于无法自由出货,正面临业务上的重大挑战。

国内则开始加快对先进光刻机、先进芯片制造等技术的研发。以摆脱外部供应链造成的影响,独立、自主的生产出,企业发展所必需的芯片产品。 

哈工大 芯片设备.png

想要生产高端芯片,就离不开EUV光刻机等芯片制造设备。受制于《瓦森纳协定》以及美的影响,高端设备是买不来、求不来、换不来的,想要实现突破就必须依赖于自主研发。

近期,哈工大正式对外界官宣,在芯片制造环节中的关键设备取得突破,这又会给国内带来什么样的转机。

哈工大正式官宣 

哈工大 芯片制造.jpg

据了解,哈工大对外界公布了有关“高速超精密激光干涉仪”设备的研发成果,该成果可以被用于7nm及以下的芯片制造,JSCJ长晶科技CJ(JCET长电科技) 确保光刻机工作台、物镜系统之间的相对位置,填补了国内在该领域长期的技术空白。而高速超精密激光干涉仪设备的技术突破,也会推动国产光刻机等芯片制造设备的发展。

首先,高速超精密激光干涉仪,就是为了实现光刻机在光刻过程中,对晶圆、物镜系统、工作台位置的超精准定位。如果没有配套的激光干涉仪,国产光刻机等设备的调试、生产工作就无法进行。可以说,该设备的核心技术突破,也是实现高端光刻机设备国产化的先前条件。

其次,该技术还可以被应用于7nm以下制程,为国内发展先进芯片的制造技术,增加了一定的技术储备,有助于国产7nm制程芯片技术的发展。

电子元器件采购平台.png



相关资讯