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1月17日,据TechNews报道,SK海力士正在对位于中国无锡的工厂进行制程升级,并计划通过运输方式绕过美国对华EUV光刻机出口禁令。 报道援引韩国市场人士的说法指出,SK海力士计划将中国无锡工厂的部分C2晶圆厂产能提升至10nm级的第四代(1a)DRAM制程技术,为应对市场需求进行扩产做准备。 目前,中国无锡工厂是SK海力士最主要的生产基地,产能约占其DRAM总产量的40%。该工厂目前正在生产10nm级的第二代(1y)和第三代(1z)DRAM产品,属于较旧制程技术。 然而,由于无法将EUV
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