格芯7纳米FinFET2018年下半年量产
2024-11-03 格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪，基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出，并将于2018年下半年实现量产。 2016年9月，格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀，来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术
格芯推出面向数据中心、网络和云应用的2.5D高带宽内存解决方案
2024-10-28 该解决方案采用用2.5D封装，利用基于FX-14 ASIC设计系统的低延时、高带宽内存物理层(PHY) 格芯今日宣布推出2.5D封装解决方案，展示了其针对高性能14纳米FinFET FX-14ASIC集成电路设计系统的功能。 该2.5D ASIC解决方案包括用于突破光刻技术限制的硅基板集成技术和与Rambus公司合作开发的每秒两太比特(2Tbps)多通道HBM2 PHY。基于14纳米FinFET的成功方案，该解决方案将整合到下一代基于格芯7纳米 FinFET工艺的FX-7 ASIC