为何今年以来内存价格涨得这么疯狂?
2024-10-22近想配新电脑或者想给电脑升级内存的朋友应该发现了,从今年以来,内存价格一直在上涨。随着《绝地求生:大逃杀》的爆红,许多玩家都加入到了“吃鸡”大军中,虽然《绝地求生:大逃杀》所需配置不是很高,但内存是必须的。所以许多玩家都开始筹划着升级或者重新购置一台新电脑,但是看到当下内存的价格,都不惊叹出了一口气。 在去年的时候,一条8G DDR4 2400hz的内存在300元左右,如今已经涨到了900多元,而即将被淘汰的DDR3内存也从250元飙升至500元,这可以说是前所未有的。要知道1年前,内存价格只
为何MOS管散热片不接地时,EMC无法通过?
2024-10-14在电子电路设计当中很多情况下都要考虑 EMC 的问题。在设计中使用 MOS 管时,在添加散热片时可能会出现一种比较纠结的情况。当 MOS 管的 EMC 通过时,散热片需要接地,而在散热片不接地的情况下,EMC 是无法通过的。那么为何会出现这种现象呢? 简单来说,针对传导可以将一些开关辐射通过散热器传导到大地回路,减弱了走传输线,让流通的路径更多了。针对辐射,没接地的散热器不仅没好处,反而是辐射发射源,对 EMC 坏处更大,同时接地了,能起到一定的屏蔽效果,所以布板时,将大电解电容用来做屏蔽用,
测量漏感,为何短路次级绕组?
2024-10-05我们用电桥测试变压器漏感时,要短路副边,测试原边得到的电感量则为漏感。你有想过为什么要短路副边,这样测试的原理是什么? 如图是理想变压器,理想变压器遵循以下公式: V2 = N2/N1*V1 N2:副边的匝数 N1:原边的匝数 但实际中变压器总是不理想的,总有一部分磁通不参与能量传递,在原边兴风作浪,产生很多不利影响。这部分不传递能量到副边的磁通产生的电感就是漏感,实际变压器的等效图如下: 等效图中漏感总是绕组串联的。为了测量绕组的电感量,我们使用电桥施加一定的频率一定的电压进行测量,测量原理
二极管到底为何不能并联?
2024-10-03串联 在串联时,需要注意静态截止电压和动态截止电压的对称分布。 在静态时,由于串联各元件的截止漏电流具有不同的制造偏差,导致具有 漏电流的元件承受了 的电压,甚至达到擎住状态。但只要元件具有足够的擎住稳定性,则无必要在线路中采用均压电阻。只有当截止电压大于 1200V 的元件串联时,一般来说才有必要外加一个并联电阻。 假设截止漏电流不随电压变化,同时忽略电阻的误差,则对于 n 个具有给定截止电压 VR 的二极管的串联电路,我们可以得到一个简化的计算电阻的公式: 以上 Vm 是串联电路中电压的
功率mos管为何会被烧毁?看完秒懂!
2024-10-02mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗,不同mos这个差距可能很大。 Mos损坏主要原因:过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;过压