Littelfuse品牌SESD0402X1UN-0020-090静电保护ESD芯片TVS二极管的技术与应用介绍 Littelfuse的SESD0402X1UN-0020-090静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，具有7V的额定工作电压，最高可承受9.2V的浪涌电压。其独特的静电保护技术，可在瞬间吸收大量的静电能量，为各类电子设备提供出色的静电保护。 技术特点： * 7V的额定工作电压； * 最高可承受9.2V浪涌电压； * 快速响应速度； * 高浪涌电流容量； * 体积小，易于集成
Littelfuse品牌SESD0402X1BN-0015-096静电保护ESD芯片TVS二极管技术与应用介绍 Littelfuse的SESD0402X1BN-0015-096静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，适用于各种电子设备的静电保护。该芯片采用先进的工艺技术，具有高浪涌电流能力、低电容和低电阻等特性，可有效抑制瞬态电压和浪涌电流，从而保护电子设备免受静电和雷击等危害。 技术特点： * 采用先进的工艺技术，具有高浪涌电流能力、低电容和低电阻等特性； * 工作电压范围宽，可承受高
标题：onsemi NUP2301MW6T1G静电保护芯片——70VWM SC88/SC70-6技术下的卓越防护方案 onsemi NUP2301MW6T1G静电保护芯片是一款出色的静电保护器件，采用TVS（Transient Voltage Suppressor）DIODE 70VWM SC88/SC70-6技术，为电子产品提供卓越的静电防护解决方案。 首先，TVS是一种高效的瞬态电压抑制器，具有极低的箝位电压和快速响应时间，能够有效地抑制瞬态电压和浪涌电流。NUP2301MW6T1G采用此
TI品牌ESD122DMXR静电保护ESD芯片TVS器件的技术和方案应用介绍 TI品牌ESD122DMXR是一款高性能的静电保护ESD芯片TVS器件，采用先进的3.6VWM，8.4VC技术，具有出色的静电保护性能和可靠性。该器件采用3X2SON的封装技术，具有小巧的体积和良好的散热性能，适用于各种电子设备的静电保护应用。 ESD122DMXR在静电保护领域具有广泛的应用前景。它适用于各种电子设备的接口、电路板、芯片等关键部位，能够有效抑制静电放电（ESD）冲击，保证设备的正常运行。同时，该器件
标题：onsemi品牌CM1213A-04SO静电保护ESD芯片TVS二极管技术与应用介绍 onsemi品牌CM1213A-04SO静电保护ESD芯片TVS二极管是一种广泛应用的电子设备保护器件。它是一种特别设计的半导体器件，能在瞬态干扰下为电路提供快速、有效的保护，防止因瞬态电压、电流而损坏电路。 该ESD芯片的核心是TVS二极管，其工作原理是在瞬态干扰到来时，能迅速钳制电压幅度，同时吸收大量的电流，从而保护电路不受损害。其技术特点包括高钳压速度、高功率容量、低反向电压等。 在应用方面，CM
标题：onsemi NSQA6V8AW5T2G静电保护芯片：TVS技术应用与方案介绍 onsemi NSQA6V8AW5T2G静电保护芯片是一款高性能的TVS二极管，采用onsemi的独特技术，专为5VWM、13VC的电气系统设计。这款静电保护芯片不仅具备出色的静电防护性能，还具有极低的电容和高速响应时间，是电子设备防静电保护的理想选择。 首先，TVS技术是一种钳位器件，能够吸收大量的瞬时浪涌功率，并将其转化为热能，从而保护电子设备不受损坏。NSQA6V8AW5T2G的ESD防护性能高达至4K
MCC品牌SM712H-TP静电保护芯片TVSDIODE 12VWM 28VC SOT23技术与应用介绍 MCC品牌一直以来以其卓越的品质和精湛的技术在电子行业中享有盛誉。今天，我们将为您详细介绍MCC品牌SM712H-TP静电保护芯片，一款高性能的12V静电保护芯片，采用TVSDIODE技术，具有高吸收电流、低钳压电压等特点，适用于各种电子设备的静电防护。 技术特点： 1. 吸收电流能力强：TVSDIODE技术可使芯片在瞬间承受高电流时迅速导通，有效保护电子设备不受静电、浪涌等瞬间高压的损害
Littelfuse的TPSMA6L40A是一款高性能静电保护ESD芯片TVS Diode，它采用先进的半导体技术，具有出色的静电保护性能和可靠性。该芯片具有40V的额定电压，适用于各种电子设备的静电保护应用。 TPSMA6L40A的技术特点包括：采用超小型封装DO221AC，具有高浪涌电流能力，可有效保护电子设备免受静电和雷击等瞬态干扰的影响。该芯片具有快速响应速度和低接触电阻，可提供出色的箝位保护效果。此外，该芯片还具有低成本、高可靠性和易于使用的优点，是电子设备的理想选择。 方案应用方面