Infineon 相关话题

标题：Infineon(IR) IRG7PH50K10D-EPBF功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术的应用领域越来越广泛，对高性能功率半导体器件的需求也日益增长。Infineon(IR)的IRG7PH50K10D-EPBF功率半导体IGBT便是其中的佼佼者，以其出色的性能和解决方案，广泛应用于各种工业和消费电子产品中。 IRG7PH50K10D-EPBF是一款90A I(C)的电流容量，1200V V(BR)CES电压等级的功率半导体IGBT。其突出的技术

Infineon英飞凌FF300R17ME4BOSA1模块IGBT MOD 1700V 375A 1800W参数及应用方案 一、简介 Infineon英飞凌FF300R17ME4BOSA1模块是一款高性能的IGBT模块，适用于各种电源系统。该模块采用1700V，375A的IGBT，具有出色的电气性能和可靠性。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 二、参数详解 1. IGBT类型：N沟道增强型IGBT，具有高饱和电压和低导通电阻，适用于高频率、高功率的应用场景。 2. 最大漏极电流：最大可达到

标题：Infineon(IR) IRG7PH50K10DPBF功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR) IRG7PH50K10DPBF是一款高性能的功率半导体IGBT，其技术特点和方案应用在当今的电力电子领域中具有重要意义。本文将详细介绍这款IGBT的技术特点和方案应用。 首先，IRG7PH50K5DPBF是一款90A I(C)的IGBT，这意味着它可以承受高达90安培的电流通过能力。同时，它的V(BR)CES值达到了1200V，这意味着它可以承受高达1200伏的电压。