场效应晶体管的基础电路设计知识
2024-06-18针对场效应管而言，在高校期内教师基础沒有讲，让自身通过自学。来到工作中的情况下，大家发觉场效应管运用還是较为普遍的。实际上场效应管和三极管還是很类似的。在许多运用中，乃至能够立即贴换三极管。 场效应晶体管（FieldEffectTransistor简称(FET)）通称场效应管。由大部分载流子参加导电性，也称之为单极型晶体管。它归属于电压操纵型集成电路工艺。具备输入电阻高（10^7～10^12Ω）、噪音小、功率低、动态范围大、便于集成化、沒有二次穿透状况、安全生产工作地区宽等优势，已经变成双极型
又一集成电路设计企业IPO首发获通过，国家大基金为第一大股东
2024-05-093月28日，上交所上市审核委员会2023年第19次审议会议结果公告显示，泰凌微电子(上海)股份有限公司(简称泰凌微)首发申请获上市委会议通过。 泰凌微是一家专业的集成电路设计企业,主要从事无线射频物联网系统级芯片的研发、设计及销售。本次发行保荐机构为安信证券股份有限公司。公司拟发行股数6000.00万股，拟募集资金13.24亿元。 此次公司发行新股募集资金拟投资于IoT产品技术升级项目、无线音频产品技术升级项目、WiFi以及多模产品研发以及技术升级项目、研发中心建设项目、发展与科技储备项目。
北京集成电路设计最高奖3000万
2024-03-3010月27日消息，北京市经济和信息化局近日发布《2023年北京市高精尖产业发展资金实施指南（第二批）》通知公告，明确北京市高精尖产业发展资金（以下简称高精尖资金）重点支持的领域和方向。 其中重点方向是对集成电路设计产品首轮流片奖励。支持集成电路设计企业开展多项目晶圆（MPW）或工程产品首轮流片（全掩膜），对符合条件的企业按照流片费用一定比例予以奖励，单个企业年度奖励金额不超过3000万元。该方向的申报单位需为在京登记注册、具有独立法人资格、从事集成电路设计业务的工业和软件信息服务业企业，在20
士兰微半导体在集成电路设计方面采用了哪些先进技术?
2024-03-27士兰微半导体作为国内领先的半导体公司，一直致力于集成电路的设计和研发。在集成电路设计方面，士兰微采用了多种先进的技术，这些技术的应用不仅提升了产品的性能，也推动了整个行业的发展。 首先，该公司积极采用系统级封装技术。系统级封装技术是一种将微电子、微机械和电路系统集成在一起的技术，可以大幅度提高集成电路的性能和能效。通过系统级封装技术，士兰微可以更好地控制芯片间的信号传输，减少信号干扰，提高系统的稳定性和可靠性。 其次，士兰微也积极采用先进的纳米级加工技术。纳米级加工技术是现代半导体制造的核心技
电路设计中的易用性如何?
2024-03-17在电路设计中，电源管理是一个至关重要的环节。为了确保系统的稳定性和性能，我们需要一个高效且可靠的电源解决方案。Torex LDO（低压差线性稳压器）作为一种常见的电源管理元件，其在电路设计中的易用性不容忽视。 首先，Torex LDO的易用性体现在其简单的结构上。这类稳压器通常包含一个线性调整器、一个参考电压源、一个晶体振荡器、以及输出电容等基本元件。其结构简单，无需复杂的调试和校准，大大降低了电路设计的难度。 其次，Torex LDO的输出电压精度高，温度稳定性好，使得电路设计者无需进行繁琐
IGBT的驱动电路和保护电路设计
2024-03-01IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为一种重要的电力电子器件，广泛应用于各种电力变换装置中。为了确保IGBT的正常工作，驱动电路和保护电路的设计至关重要。本文将详细介绍这两种电路的设计要点。 一、IGBT驱动电路设计 IGBT驱动电路的主要功能是提供合适的电流和电压，使IGBT能够正常工作，同时保护IGBT免受过压、过流等异常情况的损害。设计时需考虑以下几点： 1. 驱动信号：IGBT需要使用脉冲驱动器，通常采用高速光耦器件进行信号传输，以实现电气隔离。 2. 输入电压：驱动电路应适应一定的输入电
JRC在模拟电路设计和制造方面的专长
2024-02-10在全球电子行业的快速发展中，JRC以其卓越的模拟电路设计和制造专长，为业界树立了新的标杆。JRC作为一家领先的技术公司，凭借其深厚的技术积累和创新能力，不断推动模拟电路技术的发展，以满足日益复杂和严苛的应用需求。 模拟电路设计是一个高度专业化的领域，需要深厚的理论知识、丰富的实践经验和独特的创新思维。JRC的工程师团队在这方面具有丰富的经验，他们能够根据客户的需求，提供定制化的解决方案，确保电路的性能、稳定性和可靠性。JRC的设计流程严谨而高效，从电路原理图的绘制，到仿真测试，再到生产制造，每
单片机外围电路设计常出现的问题
2024-01-05网友：单片机外围电路有哪些注意事项呀？ 工程师：单片机外围电路设计需要注意的点有很多，今天我简单说几个吧 一、单片机上拉电阻的选择，复位电路中电阻R1=10k时RST是高电平，而当R1=50时RST为低电平，很明显R1=10k时是错误的，单片机一直处在复位状态时根本无法工作。 原因是由于RST引脚内含三极管，即便在截止状态时也会有少量截止电流，当R取的非常大时，微弱的截止电流通过就产生了高电平。 数码管点亮形成的数字由a,b,c,d,e,f,g,dp（小数点）构成，字模及真值表如图。 二、 按
硬件电路设计之DDR电路设计(2)
2024-01-051 简介 本文主要讲述一下DDR从0到1设计的整个设计的全过程，内容涵盖以下部分： SDRAM电路设计DDR4电路设计 下一篇文章内容： DDR4级联DDR4 Layout注意事项 2 SDRAM电路设计 W9825G6KH-6是一种 动态随机存取存储器 ，存储的容量为 256 Mbit ，支持最大时钟频率为 166MHz ，供电范围 3V~3.6V 。 电路分析： 地址线A0-A12 ：行地址线为A0-A12；列地址线为A0-A8，无需上拉电阻；数据线DQ0-DQ15 ：数据的输入输出线为D