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FD-SOI 相关话题

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在ISSCC 2020上,来自CEA-Leti和CEA-IRIG的研究人员展示了他们声称的世界上第一个量子集成电路,其亮点是:将传统的模拟/数字电路与量子点在CMOS芯片上实现了集成。 该芯片采用28nm FD-SOI制程工艺,集成了模拟和数字功能(包括多路复用器,缓冲器,信号放大器,振荡器,数模转换器),这些都在CEA-Leti量子计划中设想的未来量子加速器的仪器要求之中。除了需要在硅上获得可靠的、纠缠的和相干的量子位之外,这项工作的目的还在于生产能够路由众多信号以寻址数百个量子位矩阵的电子
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